全环绕栅极场效应晶体管的I-V模型紧凑建模

王诗淳, 冯俊杰, 张保钦, 韩玉杰, 徐传忠, 曾霞, 于飞

集成电路与嵌入式系统 ›› 2024, Vol. 24 ›› Issue (10) : 9-18.

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集成电路与嵌入式系统 ›› 2024, Vol. 24 ›› Issue (10) : 9-18. DOI: 10.20193/j.ices2097-4191.2024.0022
研究论文

全环绕栅极场效应晶体管的I-V模型紧凑建模

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Compact modeling of I-V model for gate-all-around field effect transistors

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 24(10): 9-18 https://doi.org/10.20193/j.ices2097-4191.2024.0022
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 24(10): 9-18 https://doi.org/10.20193/j.ices2097-4191.2024.0022
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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