NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固

杨强, 葛超洋, 李燕妃, 谢儒彬, 洪根深

集成电路与嵌入式系统 ›› 2024, Vol. 24 ›› Issue (3) : 13-18.

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集成电路与嵌入式系统 ›› 2024, Vol. 24 ›› Issue (3) : 13-18.
航天集成电路研究专栏

NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Single-event effect and Nbuffer hardening for NLDMOS device

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 24(3): 13-18
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 24(3): 13-18
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightLicense_cn}}
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