偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究

黄潇枫, 李臣明, 王海滨, 孙永姝, 王亮, 郭刚, 汪学明

集成电路与嵌入式系统 ›› 2024, Vol. 24 ›› Issue (7) : 30-36.

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集成电路与嵌入式系统 ›› 2024, Vol. 24 ›› Issue (7) : 30-36.
集成电路可靠性研究专栏

偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Bias voltage and temperature dependence of single-event transient in 22 nm FDSOI devices

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 24(7): 30-36
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2024, 24(7): 30-36
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{{article.reference}}

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