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电磁脉冲冲击下工业芯片LDMOS器件可靠性仿真方法研究
朱亚星, 赵东艳, 陈燕宁, 刘芳, 吴波, 王凯, 梁英宗, 郁文, 池泊明, 连亚军
集成电路与嵌入式系统, 2024, 24(
10
): 25-30. DOI:
10.20193/j.ices2097-4191.2024.0030
图2
时域概率密度数据
本文的其它图/表
图1
典型工业芯片电磁干扰环境信号采集分析
图3
复杂电磁干扰信号转换矩形脉冲信号
图4
电磁边界条件器件仿真
图5
LDMOS器件可靠性退化仿真