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NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固
杨强, 葛超洋, 李燕妃, 谢儒彬, 洪根深
Single-event effect and Nbuffer hardening for NLDMOS device
YANG Qiang, GE Chaoyang, LI Yanfei, XIE Rubin, HONG Genshen
集成电路与嵌入式系统 . 2024, (
3
): 13 -18 .