全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造

曹凯华; 张和; 刘宏喜; 王戈飞; 王昭昊; 赵巍胜

doi:10.20193/j.ices2097-4191.2025.0120

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集成电路与嵌入式系统 ›› 2026, Vol. 26 ›› Issue (1) : 1-4. DOI: 10.20193/j.ices2097-4191.2025.0120

业界视点

全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造

曹凯华 ¹^,^† ,
张和 ¹^,^† ,
刘宏喜 ² ,
王戈飞 ² ,
王昭昊 ¹ ,
赵巍胜 ¹^,^*

作者信息 +

¹ 北京航空航天大学

² 致真存储(北京)科技有限公司

作者简介:

^† 为共同一作

曹凯华,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授,主管8英寸自旋芯片工艺平台。2019年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学博士学位,长期从事磁存储器件制备关键工艺研究,以第一/通讯作者发表学术论文20余篇,获授权发明专利30余项。获华为奥林帕斯先锋奖(排名5)、北京市自然科学一等奖(排名11)等。

张和,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授,科协青托,2021年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学博士学位。长期从事非易失存储芯片设计、工艺设计协同优化和智能计算等方向的研究工作。在IEDM、DAC、TCAS-I、ICCAD等高水平期刊/会议发表磁存储器领域相关论文40余篇,申请专利30余项。

刘宏喜,致真存储(北京)科技有限公司首席技术官,2012年获得日本北海道大学信息电子学博士学位,IEEE高级会员。负责SOT-MRAM研发工作,重点推进材料、器件物理及制造工艺的协同创新。已发表50余篇学术论文并持有50余项MRAM相关专利,受邀在学术与产业论坛做报告10余次。

王戈飞,致真存储(北京)科技有限公司首席运营官,法国巴黎萨克雷大学物理学博士,国家级人才。长期从事新型存储技术研究,组建了国内首个新一代磁存储芯片研发团队,落地科研成果转化,建设完成国内首条新一代磁存储芯片研发线及量产线。

王昭昊,北京航空航天大学教授,国家级青年人才,2015年获法国巴黎萨克雷大学物理学博士学位,长期从事自旋电子器件、磁性存储器电路设计及工艺集成相关研究,以第一作者/通讯作者发表论文80余篇,获授权发明专利30余项,获中国电子学会自然科学一等奖(排名3)等科研奖励。

赵巍胜,北京航空航天大学教授、副校长,国家级领军人才,IEEE Fellow,长期从事自旋电子学、新型信息器件、非易失存储器等领域的交叉研究,相关成果发表于Nature Electronics、Proceedings of the IEEE、PRL、PNAS 等高档次期刊或IEDM等顶级会议,总索引超过 30 000次,入选ESI高被引科学家,获中国电子学会自然科学一等奖(排名1)、北京市自然科学一等奖(排名1)等科研奖励。

通信作者:

^* E-mail: weisheng.zhao@buaa.edu.cn。

折叠

The world's first 8 Mb SOT-MRAM: from device breakthrough to wafer-level fabrication

CAO Kaihua ¹ ,
ZHANG He ¹ ,
LIU Hongxi ² ,
WANG Gefei ² ,
WANG Zhaohao ¹ ,
ZHAO Weisheng ¹^,^*

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文章历史 +

摘要

面向人工智能、边缘计算及高可靠嵌入式系统对高速、低功耗与非易失存储的迫切需求,自旋轨道力矩磁随机存储器(SOT-MRAM)成为新一代存储的重要发展方向。北京航空航天大学联合致真存储(北京)科技有限公司在材料、器件、工艺及架构层面开展协同创新,研制全球首颗8 Mb SOT-MRAM芯片。通过自主可控的8 英寸制造平台构建了兼容主流CMOS工艺的混合集成技术路线,并在保持亚纳秒级超快写入、超高可靠性与低功耗优势的同时,实现了容量规模化突破。相关成果为 SOT-MRAM从技术验证迈向工程化与产业化提供了关键路径,对我国新型存储器产业发展具有重要引领意义。

关键词

新型非易失存储器 / 自旋轨道力矩磁随机存储器 / 晶圆级制造

引用本文

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曹凯华, 张和, 刘宏喜, 等. 全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造[J]. 集成电路与嵌入式系统. 2026, 26(1): 1-4 https://doi.org/10.20193/j.ices2097-4191.2025.0120

CAO Kaihua, ZHANG He, LIU Hongxi, et al. The world's first 8 Mb SOT-MRAM: from device breakthrough to wafer-level fabrication[J]. Integrated Circuits and Embedded Systems. 2026, 26(1): 1-4 https://doi.org/10.20193/j.ices2097-4191.2025.0120

参考文献

列表( 原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序 ) 可视化分析

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