一种具有断电续写功能的存储器系统设计

文丰, 郭红伟, 李辉景, 杨志文

集成电路与嵌入式系统 ›› 2023, Vol. 23 ›› Issue (12) : 8-11.

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集成电路与嵌入式系统 ›› 2023, Vol. 23 ›› Issue (12) : 8-11.
专题论述

一种具有断电续写功能的存储器系统设计

  • 文丰, 郭红伟, 李辉景, 杨志文
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Design of Memory System with Power-off Rewrite Function

  • Wen Feng, Guo Hongwei, Li Huijing, Yang Zhiwen
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摘要

针对弹舰载存储器在复杂环境下可能出现偶然掉电的问题,提出了一种具有断电续写功能的存储器解决方案,避免存储器在弹箭上偶发性掉电恢复之后上次存储的数据被新的数据覆盖。在边擦边写基础上实现了断电续写技术,且为了满足数据写入速率使用交叉双平面编程。通过地面测试台模拟弹上系统发送数据,大量测试结果表明,该设计实现了断电续写的功能,可以实现对数据的稳定存储,且验证了系统的可靠性。

Abstract

Aiming at the problem of occasional power loss that may occur in the complex environment of the bomb shipboard memory,a memory solution with power failure rewrite function is proposed to avoid the last stored data being overwritten by the new data after the memory recovers from the occasional power loss on the bomb arrows.The power down-surviving technique is implemented on the basis of write-while-erase,and cross-biplane programming is used to satisfy the data writing rate.The ground test bench simulates the data sent from the bomb system,and after a large number of tests,the results show that the design achieves the function of power failure renewal,and can achieve the stable storage of data,which verifies the reliability of the system.

关键词

NAND Flash / 交叉双平面编程 / 边擦边写 / 坏块管理 / 断电续写

Key words

NAND Flash / interleaved dual page programming / write while erasing / bad block management / power down-surviving

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文丰, 郭红伟, 李辉景, 杨志文. 一种具有断电续写功能的存储器系统设计[J]. 集成电路与嵌入式系统. 2023, 23(12): 8-11
Wen Feng, Guo Hongwei, Li Huijing, Yang Zhiwen. Design of Memory System with Power-off Rewrite Function[J]. Integrated Circuits and Embedded Systems. 2023, 23(12): 8-11
中图分类号: TP333.1   

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