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电磁干扰环境MOS器件可靠性表征方法研究
朱亚星, 赵东艳, 陈燕宁, 刘芳, 吴波, 王凯, 郁文, 王柏清, 宋斌斌, 连亚军
集成电路与嵌入式系统, 2024, 24(
8
): 29-34. DOI:
10.20193/j.ices2097-4191.2024.0012
图3
MOS器件电磁干扰环境寿命预测流程图
本文的其它图/表
图1
实验数据
图2
Si/SiO
2
界面Si-H键断裂示意图
图4
基于TCAD仿真软件MOS器件可靠性模型仿真数据