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图/表 详细信息
偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究
黄潇枫, 李臣明, 王海滨, 孙永姝, 王亮, 郭刚, 汪学明
集成电路与嵌入式系统, 2024, 24(
7
): 30-36.
工艺参数
数值
沟道长度
22 nm
沟道宽度
80 nm
源/漏掺杂浓度
3.5×10
19
cm
-3
源/漏轻掺杂浓度
3×10
16
cm
-3
体区掺杂浓度
5×10
15
cm
-3
埋氧层厚度
20 nm
栅氧化层厚度
1.25 nm
体区硅膜厚度
6 nm
外延层总厚度
16 nm
表1
器件模型工艺参数
本文的其它图/表
图1
22 nm FDSOI NMOS器件截面图
[
9
]
图2
22 nm FDSOI NMOS器件模型
图3
器件不同位置的刻度标注示意图
图4
工作温度为298 K时,仿真模型在不同偏置电压下的转移特性曲线和输出特性曲线
图5
不同入射位置下HeavyIon模型产生的电子-空穴对密度分布图
图6
工作温度和LET值分别为298 K和0.4 pC/μm,不同偏置电压和不同入射位置时的漏端总收集电荷量和寄生双极放大效应增益
图7
工作温度和LET值分别为298 K和0.4 pC/μm,不同偏置电压和不同入射位置时的漏端瞬态脉冲电流的峰值电流和脉冲宽度
图8
工作温度和LET值分别为298 K和0.4 pC/μm,不同偏置电压下重离子入射体区中央位置时的漏端瞬态脉冲电流
图9
工作温度和入射位置分别为298 K和体区中央,LET为0.4 pC/μm和0.8 pC/μm,不同偏置电压的漏端总收集电荷量、漏端瞬态脉冲电流的峰值电流和脉冲宽度
图10
入射位置和LET值分别为体区中央和0.4 pC/μm,偏置电压为0.4 V和0.8 V,不同工作温度的漏端总收集电荷量和漏端瞬态脉冲电流的脉冲宽度
