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图/表 详细信息
全环绕栅极场效应晶体管的I-V模型紧凑建模
王诗淳, 冯俊杰, 张保钦, 韩玉杰, 徐传忠, 曾霞, 于飞
集成电路与嵌入式系统, 2024, 24(
10
): 9-18. DOI:
10.20193/j.ices2097-4191.2024.0022
参 数
图4
~
图7
中数据
图8
~
图9
中数据
N
a
/cm
-3
10
13
10
13
g
c
1
/(cm
-3
eV
-1
)
10
18
10
18
E
1
/V
0.161
0.161
V
fb
/V
-1
-1.1
t
ox
/nm
5
5
R/nm
10
10
L/nm
14
14
μ
s
/(cm
2
V
-1
s
-1
)
—
12
μ
0
/(cm
2
V
-1
s
-1
)
—
88
θ
1
—
-0.09
θ
2
—
-0.28
θ
3
—
-0.05
V
Q
/V
—
0.164
V
i
/V
—
0.585
k
n
—
0.01
表1
仿真参数表
本文的其它图/表
图1
GAAFET三维结构图和GAAFET截面图
[
13
]
图2
不同掺杂浓度下各类电荷密度的分布
图3
不同种类的电荷密度与表面电势的关系图
图4
基于区域划分法
图5
基于有效电荷密度法
图6
不同沟道电压下表面电势与栅极电压的关系
图7
不同掺杂浓度下表面电势与栅极电压的关系
图8
基于区域划分法的模型与实验结果之间的比较
图9
基于有效电荷密度法的模型与实验结果之间的比较