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图/表 详细信息

基于22 nm FD-SOI工艺的宽电压高能效运算电路设计
杨雅楠, 裴秉玺, 张光达, 赵夏, 钟智勇, 何卫锋
集成电路与嵌入式系统, 2025, 25(11): 8-14.   DOI: 10.20193/j.ices2097-4191.2025.0070

图8 单元密度的影响
本文的其它图/表
  • 图1 不同架构的加法器延迟、功耗与面积对比图
  • 图2 不同架构的乘法器延迟、功耗与面积对比图
  • 图3 寄生参数对能效的影响
  • 图4 不同时钟周期能效对比图
  • 图5 4种单元的面积、电容、功耗、延迟对比图
  • 图6 混合单元组合能效对比图
  • 表1 不同逻辑综合流程对能效的影响
  • 图7 不同阶段能效对比图
  • 图9 模块内各电压域分布
  • 图10 版图设计
  • 图11 芯片封装图
  • 图12 芯片测试实物图
  • 图13 宽电压域测试原理图
  • 图14 延迟测试原理图
  • 图15 能效测试原理图
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