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图9
基于有效电荷密度法的模型与实验结果之间的比较
图8
基于区域划分法的模型与实验结果之间的比较
表1 仿真参数表
图7
不同掺杂浓度下表面电势与栅极电压的关系
图6
不同沟道电压下表面电势与栅极电压的关系
图5
基于有效电荷密度法
图4
基于区域划分法
图3
不同种类的电荷密度与表面电势的关系图
图2
不同掺杂浓度下各类电荷密度的分布
图1
GAAFET三维结构图和GAAFET截面图
[
13
]
图5
LDMOS器件可靠性退化仿真
图4
电磁边界条件器件仿真
图3
复杂电磁干扰信号转换矩形脉冲信号
图2
时域概率密度数据
图1
典型工业芯片电磁干扰环境信号采集分析
图9
串口运行结果
图8
测试平台示意图
表2 结果对比
图7
杂凑值输出结果
图6
填充值输出结果
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