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图10
入射位置和LET值分别为体区中央和0.4 pC/μm,偏置电压为0.4 V和0.8 V,不同工作温度的漏端总收集电荷量和漏端瞬态脉冲电流的脉冲宽度
图9
工作温度和入射位置分别为298 K和体区中央,LET为0.4 pC/μm和0.8 pC/μm,不同偏置电压的漏端总收集电荷量、漏端瞬态脉冲电流的峰值电流和脉冲宽度
图8
工作温度和LET值分别为298 K和0.4 pC/μm,不同偏置电压下重离子入射体区中央位置时的漏端瞬态脉冲电流
图7
工作温度和LET值分别为298 K和0.4 pC/μm,不同偏置电压和不同入射位置时的漏端瞬态脉冲电流的峰值电流和脉冲宽度
图6
工作温度和LET值分别为298 K和0.4 pC/μm,不同偏置电压和不同入射位置时的漏端总收集电荷量和寄生双极放大效应增益
图5
不同入射位置下HeavyIon模型产生的电子-空穴对密度分布图
图4
工作温度为298 K时,仿真模型在不同偏置电压下的转移特性曲线和输出特性曲线
表1 器件模型工艺参数
图3
器件不同位置的刻度标注示意图
图2
22 nm FDSOI NMOS器件模型
图1
22 nm FDSOI NMOS器件截面图
[
9
]
图9
FPGA验证
表3 结果对比
图8
运算结果
图7
ROM结构
图6
并行处理结构
图5
32级流水线结构
图4
时钟周期通用计算模型
图3
终端计算结果
图2
SM4整体架构
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