集成电路与嵌入式系统

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偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究

黄潇枫, 李臣明, 王海滨, 孙永姝, 王亮, 郭刚, 汪学明

集成电路与嵌入式系统, 2024, 24(7): 30-36.

图9 工作温度和入射位置分别为298 K和体区中央,LET为0.4 pC/μm和0.8 pC/μm,不同偏置电压的漏端总收集电荷量、漏端瞬态脉冲电流的峰值电流和脉冲宽度

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